系统定制开发今天想聊一聊STA相关的RC corner的问题。系统定制开发我先简单介绍一些什么是signoff的corner，系统定制开发然后重点聊一聊RC corner。
系统定制开发芯片在工作的时候，系统定制开发不同的工艺、电压、系统定制开发温度会影响芯片的性能，系统定制开发我们不能保证所有芯片系统定制开发都工作在相同的环境中，系统定制开发比如我们的手机在东北要能用，在东北的澡堂子也要能用，所以我们必须要在不同环境下一一检查芯片，确保不会出现错误才行。一般说来，我们只要检查几个极端的环境，让芯片工作最快的时候和最慢的时候都满足要求，那么一般的环境也就可以满足。我们就称这些极端的环境为corner。一般setup检查要对应最快的corner，hold检查要对应最慢的corner。
在众多环境因素中，有一项是net的寄生参数RC值，它可以反映net的delay大小。大学的时候都学过RC电路一阶相应，公式已经不记得了，只记得电路RC值越大，电路充放电越慢，RC越小，充放电越快。所以一般来说，net的电容越小，电阻越小，这段net的delay就越小。
一段net的R值很容易理解，C值怎么算呢？如果我没记错的话，这里的电容包含三个部分：同层金属线间的耦合电容，导线对地电容，还有一个导线侧面对地的边缘电容。
要算delay不能简单只看net上的RC值，毕竟供电是从前面的driving cell来的，因此还要考虑driver的RC。在早期工艺，一般cell的R值都远大于net的R值，与C相乘的时候net的R就可以忽略不计，所以对于一条net来讲，它的C是我们要重点关注的，可以说这时候电容占主导地位。C最大的时候，net delay最大，C最小的时候，net delay最小。由此我们衍生出两个corner：
cbest(Cmin) cworst(Cmax)
讲到这里我突然想强调一点，这两个corner都是针对同一条net而言的，就是说其实芯片的net上的RC值并不是一个定值，在实际工作时会在一个范围内浮动，我们通过抽RC的工具就可以确定这个浮动范围，然后选择上面讲的两个极值作为我们的两个RC corner。
而后，随着工艺的进步，cell的R值不再“远大于”net的R值，尤其对比较长的net，它的电阻已经到了不可忽略的地步，因此再单单选用C的极大极小来代表net delay的极大极小变得不再那么可取，所以我们要综合考虑net的RC情况。具体过程有点复杂，为了方便理解，我就讲一下我自己理解的简化版本。我们要考虑的是（cell电阻+net电阻）*（cell电容+net电容），把这个式子展开后可以得到一项cell电阻*cell电容，可以先忽略，第二项net电阻*net电容，以及cell电阻*net电容+cell电容*net电阻。Net上电容和电阻有一定负相关性，外界环境变化时，net电容如果减小，电阻一般会变大。当net的电阻大到一定成都，cell电阻小到一定程度，net上的RC相乘的积就能占主导地位，这个积的极值就可以代表net的delay的极值。一般来说RC最大的时候，C要比Cmax稍微小一点，R和Rmax差不太多。这样我们就又有两个corner：
Rcbest rcworst
并不是说在先进工艺下cbest cworst corner就没用了，实际上，只有当导线比较长的时候，delay的极值才会发生在rcbest和rcworst的corner上，对于短导线、driver电阻很大的时候，cbest和cworst才能反映delay的极值。所以实际为了稳妥起见，这四个corner我们都会进行signoff。
另外如果考虑DPT（double pattern technology），corner名字后面会再带一个CCworst或者CCbest。考虑OCV的variation还有可能带一个字母T。这些就是比较深入的了，我也要继续学习才行呀。希望今天的文章能对大家有所帮助。
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